MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC (CWDM3011P TR13)

Part Number: CWDM3011P TR13

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (Max): 20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 8V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-SOIC
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Цена по запросу